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电子元器件详细资料 » IC[21709] » IRFI620G
型号:IRFI620G类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:TO-220-3 全封装,隔离接片描述:MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
系列-
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)200V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4.1A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C800 毫欧 @ 2.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs14nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds260pF @ 25V
功率_最大30W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片
供应商设备封装TO-220-3
包装管件

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市科翼源电子有限公司朱小姐13510998172
深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
深圳市易信优科技有限公司陈佳隆0755-23914006/18318877587
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